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制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

產(chǎn)品種類:射頻(RF)雙極晶體管

RoHS:是

晶體管類型:Bipolar Power

技術(shù):Si

晶體管極性:NPN

直流集電極/Base Gain hfe Min:15

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:24 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:3.5 V

集電極連續(xù)電流:0.7 A

最小工作溫度:- 50 C

最大工作溫度:+ 200 C

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:244-04

封裝:Tray

工作頻率:860 MHz

類型:RF Bipolar Power

商標(biāo):Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散:8.75 W

產(chǎn)品類型:RF Bipolar Transistors

子類別:Transistors