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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:480 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 0.5 V to + 20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.86 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOIC-24

商標(biāo):Texas Instruments

通道模式:Enhancement

配置:Array 11

下降時(shí)間:4 ns

最小工作溫度:- 40 C

上升時(shí)間:3 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16 ns

典型接通延遲時(shí)間:11 ns