通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：340 A
最大漏源電壓：40 V
最大漏源電阻值：1.4 m0hms
最大柵閾值電壓：2.4V
最小柵閾值電壓：1.4V
最大柵源電壓：±20 V
封裝類型：SOP
安裝類型：表面貼裝
引腳數(shù)目：8
晶體管配置：單
通道模式：增強
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：170 W
典型接通延遲時間：26 ns
典型關斷延遲時間：63 ns
典型輸入電容值@Vds：7370 pF @ 20 V
典型柵極電荷@Vgs：103 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目：1
寬度：5mm
高度：0.95mm
正向二極管電壓：1.2V
尺寸：5 x 5 x 0.95mm
最高工作溫度：+175 °C
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs