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通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：20 A

最大漏源電壓：40 V

最大漏源電阻值：13.1 m0hms

最大柵閾值電壓：2.3V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：SOP 高級

安裝類型：表面貼裝

引腳數(shù)目：8

晶體管配置：單

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：30 W

高度：0.95mm

系列：TPC

寬度：5mm

典型接通延遲時間：8.4 ns

典型關斷延遲時間：35 ns

典型輸入電容值@Vds：1620 pF @ 10 V

典型柵極電荷@Vgs：25 nC @ 10 V

晶體管材料：Si

最高工作溫度：+150 °C

尺寸：5 x 5 x 0.95mm

每片芯片元件數(shù)目：1

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs