包裝管件
系列-
零件狀態(tài)有源
FET 類型N 通道
技術GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）
漏源電壓（Vdss）650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）46.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）12V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）41 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4.8V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）36nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1500pF @ 400V
FET 功能-
功率耗散（最大值）156W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型通孔
供應商器件封裝TO-247-3
封裝/外殼TO-247-3