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TP5322K1-G
規(guī)格信息:

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:220 V

Id-連續(xù)漏極電流:120 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:12 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.95 mm

長(zhǎng)度:2.9 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

晶體管類(lèi)型:1 P-Channel

寬度:1.3 mm

商標(biāo):Microchip Technology

正向跨導(dǎo) - 最小值:100 mS

下降時(shí)間:15 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:15 ns

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:3000

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns

典型接通延遲時(shí)間:10 ns

單位重量:8 mg

介紹圖TP5322K1-G
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠(chǎng)商廠(chǎng)商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
TP5322K1-GP-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)306.65 Kbytes共2頁(yè)TP5322K1-G的PDF文件地址TP0604,VP02A,ZVP3306F,TP0606,VP02C,ZVP3310A,TP0610T,VP0550,ZVP0120A,ZVP3310F TP5322K1-G的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
TP5322K1-GP-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)516.86 Kbytes共2頁(yè)TP5322K1-G的PDF文件地址VP0104_07,VP1504,VP0645,VP0535,VP0350,VP0300,VP0120,VN3205_07,TN0635,VN0635 TP5322K1-G的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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