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TP2640N3-G
規(guī)格信息：

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-92-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:400 V

Id-連續(xù)漏極電流:180 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:15 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Bulk

高度:5.33 mm

長(zhǎng)度:5.21 mm

晶體管類型:1 P-Channel

類型:FET

寬度:4.19 mm

商標(biāo):Microchip Technology

下降時(shí)間:40 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:15 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns

典型接通延遲時(shí)間:10 ns

單位重量:220 mg

TP2640N3-G

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
TP2640N3-G	P- Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	SUTEX[Supertex, Inc]	562.77 Kbytes	共5頁(yè)	VP0300,VP0120,VP0104_07,VN3205_07,TN0635,TN1504,VN0635,TN2101,TN2106_03,2N6660_07	產(chǎn)品購(gòu)買
TP2640N3-G P002	MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET	Microchip Technology	712.86 Kbytes	共6頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
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