������:Microchip
�a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
RoHS:��
���g(sh��):Si
���b�L(f��ng)��:Through Hole
���b / ���w:TO-92-3
ͨ����(sh��)��:1 Channel
���w�ܘO��:P-Channel
Vds-©Դ�O����늉�:350 V
Id-�B�m(x��)©�O���:86 mA
Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:25 Ohms
Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 150 C
Pd-���ʺ�ɢ:740 mW
����:Single
ͨ��ģʽ:Enhancement
���b:Bulk
�߶�:5.33 mm
�L��:5.21 mm
�a(ch��n)Ʒ:MOSFET Small Signal
���w�����:1 P-Channel
���:FET
����:4.19 mm
�̘�(bi��o):Microchip Technology
�½��r�g:10 ns
�a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
�����r�g:10 ns
���S���b��(sh��)��:1000
��e:MOSFETs
�����P(gu��n)�]���t�r�g:20 ns
���ͽ�ͨ���t�r�g:10 ns
�����:453.600 mg