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制造商:Microchip

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-92-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:175 mA

Rds On-漏源導通電阻:10 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:740 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Bulk

高度:5.33 mm

長度:5.21 mm

產品:MOSFET Small Signal

晶體管類型:1 P-Channel

類型:FET

寬度:4.19 mm

商標:Microchip Technology

正向跨導 - 最小值:150 mmho

下降時間:5 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:4 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:5 ns

典型接通延遲時間:4 ns

單位重量:453.600 mg