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TN2535N8
規(guī)格信息：

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

商標(biāo):Microchip Technology

Id-連續(xù)漏極電流:283 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:350 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-89-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:15 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:15 ns

工廠包裝數(shù)量:2000

典型關(guān)閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:20 ns

介紹圖TN2535N8
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
TN2535N8N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)495.6 Kbytes共4頁TN2535N8的PDF文件地址TN0620,VN0204N6,TN1506,TN0702,VN1550,TN2106,VN2106,VN0650,TN2124,VN0300 TN2535N8的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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