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TN2106K1
規(guī)格信息：

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

商標:Microchip Technology

Id-連續(xù)漏極電流:280 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:2.5 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:5 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:5 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

典型關閉延遲時間:6 ns

典型接通延遲時間:3 ns

單位重量:8.200 mg

介紹圖TN2106K1
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
TN2106K1N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)32.19 Kbytes共4頁TN2106K1的PDF文件地址TN0620,VN0204N6,TN1506,TN0702,VN1550,TN2124,VN2106,VN0650,TN2130,VN0300 TN2106K1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
TN2106K1N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)45.67 Kbytes共4頁TN2106K1的PDF文件地址VN3205_07,TN0635,VN0635,TN1504,TN2101,2N6660_07,2N7000_07,2N7002_07,2N7008_07,DN2540_07 TN2106K1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
TN2106K1-GN-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)550.85 Kbytes共6頁TN2106K1-G的PDF文件地址 TN2106K1-G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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