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通道類型N

最大連續(xù)漏極電流15.8 A

最大漏源電壓600 V

最大漏源電阻值190 m0hms

最大柵閾值電壓3.7V

最小柵閾值電壓2.7V

最大柵源電壓±30 V

封裝類型D2PAK

安裝類型表面貼裝

引腳數(shù)目3

晶體管配置單

通道模式增強

類別功率 MOSFET

最大功率耗散130 W

典型接通延遲時間50 ns

典型關(guān)斷延遲時間100 ns

典型輸入電容值@Vds1350 pF @ 300 V

典型柵極電荷@Vgs38 nC @ 10 V

每片芯片元件數(shù)目1

寬度10.27mm

長度10.35mm

高度4.46mm

正向二極管電壓1.7V

尺寸10.35 x 10.27 x 4.46mm

最高工作溫度+150 °C

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs