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TH58100FT
規(guī)格信息：

標準包裝60

類別集成電路 (IC)

家庭存儲器

系列-

格式 - 存儲器閃存

存儲器類型閃存 - NAND

存儲容量1G（128M x 8）

速度50ns

接口串行

電源電壓2.7 V ~ 3.6 V

工作溫度0°C ~ 70°C

封裝/外殼48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

供應商設備封裝48-TSOP I

包裝托盤

介紹圖TH58100FT
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
TH58100FTTENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)421.77 Kbytes共43頁TH58100FT的PDF文件地址TC55VBM316AFTN,TC55NEM208A,TC58512FT,TC55VCM216ASTN40,TC51WHM616AXBN70,TC55VEM316AXBN40,TC58NVG1S3BFT00,TC58NS256DC,TC55V8512FT-12,TC55NEM216AFTN55 TH58100FT的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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