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TC8220K6-G
規(guī)格信息:

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DFN-12

通道數(shù)量:4 Channel

晶體管極性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6 Ohms, 7 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

配置:Quad

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:Reel

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

晶體管類型:2 N-Channel, 2 P-Channel

商標(biāo):Microchip Technology

正向跨導(dǎo) - 最小值:400 mS, 400 mS

下降時間:15 ns, 15 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:15 ns, 15 ns

工廠包裝數(shù)量:3300

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:20 ns, 20 ns

典型接通延遲時間:10 ns, 10 ns

單位重量:41.400 mg

介紹圖TC8220K6-G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
TC8220K6-GTwo Pair, N- and P-Channel Enhancement-Mode MOSFET SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)585.36 Kbytes共6頁TC8220K6-G的PDF文件地址 TC8220K6-G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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