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TC58FVB641FT-10
規(guī)格信息：

包裝：48TSOP

電池類型：NOR

密度：64 Mb

建筑：Sectored

塊組織：Asymmetrical

位置引導塊：Bottom

典型工作電源電壓：3|3.3 V

扇區(qū)大?。?/span>8Kbyte x 8|64Kbyte x 127

支持通用閃存接口：Yes

定時類型：Asynchronous

工作溫度：-40 to 85 °C

地址總線寬度：23/22 Bit

銀行大小：0.5/3.5/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4 Mb

接口類型：Parallel

銀行數(shù)：17

地址總線寬度：23/22

密度：64M

典型工作電源電壓：3|3.3

歐盟RoHS指令：Not Compliant

字數(shù)：8M/4M

最低工作溫度：-40

供應商封裝形式：TSOP

標準包裝名稱：TSOP

最高工作溫度：85

每字位數(shù)：8/16

引導塊：Yes

最低工作電源電壓：2.7

引腳數(shù)：48

最大工作電流：30

最大隨機存取時間：100

最大工作電源電壓：3.6

鉛形狀：Gull-wing

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TC58FVB641FT-10	64-MBIT (8M ?? 8 BITS / 4M ?? 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY	TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]		593.0 Kbytes	共53頁		TC58FVT400FT-10,TC58FVB160AF,TC58FVM7B2,M5M29F25611VP,TC58FVT321FT-10,TC58FVT321-70,TC58FVT800FT-85,AM29DS323D,AM29PL320D,EN29F800		產(chǎn)品購買
TC58FVB641FT-10	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]		603.52 Kbytes	共53頁		TC55VEM208ASTN55,TC55V8512FTI-12,TC55NEM216AFTN55,TC55NEM216ASTV55,TC55VBM316AFTN,TC55V8512FT-12,TC55NEM208A,TC55V4366FF-133,TC58FVT160AFT-70,TH58NVG1S3AFT		產(chǎn)品購買

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