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T2G6000528-Q3
規(guī)格信息：

制造商:Qorvo

產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管

RoHS:是

晶體管類型:HEMT

技術(shù):GaN SiC

增益:15 dB

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:-

Vgs-柵源極擊穿電壓 :-

Id-連續(xù)漏極電流:650 mA

輸出功率:10 W

最大漏極/柵極電壓:-

最小工作溫度:-

最大工作溫度:-

Pd-功率耗散:12.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝:Tray

應(yīng)用:Military Radar, Professional and Military Radio Communications

配置:Single

工作頻率:DC to 6 GHz

系列:T2G

商標(biāo):Qorvo

正向跨導(dǎo) - 最小值:-

開發(fā)套件:T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類型:RF JFET Transistors

工廠包裝數(shù)量:100

子類別:Transistors

零件號(hào)別名:1099997

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
T2G6000528-Q3	10W, 28V DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor	TRIQUINT[TriQuint Semiconductor]	985.84 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
T2G6000528-Q3 28V	射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN	Qorvo	981.33 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
T2G6000528-Q3, EVAL BOARD	射頻開發(fā)工具 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN Eval Brd	Qorvo	981.33 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
T2G6000528-Q3_15	10W, 28V DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor	TRIQUINT[TriQuint Semiconductor]	985.84 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
T2G6000528-Q3-EVB1	10W, 28V DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor	TRIQUINT[TriQuint Semiconductor]	985.84 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
T2G6000528-Q3EVB3	射頻開發(fā)工具 3-3.3GHz Eval Board	Qorvo	980.29 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
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T2G6000528-Q3-EVB5	10W, 28V DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor	TRIQUINT[TriQuint Semiconductor]	985.84 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
T2G6000528-Q3-EVB6	10W, 28V DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor	TRIQUINT[TriQuint Semiconductor]	985.84 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買