FET 類型P 溝道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）450mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）4.5nC @ 2.5V
Vgs（最大值）±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）412pF @ 15V
功率耗散（最大值）1.6W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）80 毫歐 @ 2.5A，4.5V
工作溫度150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
供應商器件封裝SOT-23-6
封裝/外殼SOT-23-6
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs