FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA（最?。?/p>
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：22nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2850pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.7W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：20.5 毫歐 @ 3.5A，10V
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs