系列：DeepGATE?，STripFET? VII
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：45A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：61nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：4369pF @ 50V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：30W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：8 毫歐 @ 22.5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 整包
封裝形式Package：TO-220FP
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：100V
連續(xù)漏極電流ID：80A
RoHS：符合 RoHS
最高工作溫度：+ 175 C
30 W：Pd - 功率消耗
安裝風格：Through Hole
品牌：STMicroelectronics
下降時間：15 ns
最低工作溫度：- 55 C
上升時間：40 ns
晶體管極性：N-Channel
標準包裝數(shù)量：50
標準斷開延遲時間：46 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓：100 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：20 V
Id - C連續(xù)漏極電流：45 A
Rds On - 漏-源電阻：8 m0hms
配置：Single
Vgs th - 門源門限電壓：2 V to 4 V
61 nC：Qg - 閘極充電
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs