系列：MDmesh??
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：10nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：315pF @ 100V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：900 毫歐 @ 2.5A，10V
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
封裝形式Package：DPAK
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：650V
連續(xù)漏極電流ID：5A
Pd-功率耗散：60 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝/外殼：DPAK-3
Ciss-輸入電容：315 pF
下降時(shí)間：18 ns
最小工作溫度：- 55 C
上升時(shí)間：6.6 ns
商標(biāo)名：MDmesh
晶體管極性：N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：22.5 ns
Vds-漏源極擊穿電壓：650 V
Vgs-柵源極擊穿電壓：25 V
Id-連續(xù)漏極電流：5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：900 m0hms
Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V
Qg-柵極電荷：10 nC
最大工作溫度：+ 150 C
無(wú)鉛情況/RoHs：否