系列：STripFET?? V
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：80A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1850pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：70W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5 毫歐 @ 40A，10V
工作溫度：175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
封裝形式Package：DPAK
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：80A
70 W：Pd - 功率消耗
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
品牌：STMicroelectronics
通道模式：Enhancement
下降時(shí)間：10.8 ns
最低工作溫度：- 55 C
上升時(shí)間：14 ns
RoHS：符合 RoHS
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量：2500
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間：23.6 ns
晶體管極性：N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓：30 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：22 V
Id - C連續(xù)漏極電流：80 A
Rds On - 漏-源電阻：5 m0hms
配置：Single
最高工作溫度：+ 175 C
無(wú)鉛情況/RoHs：否