系列：DeepGATE?，STripFET? VII
FET類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：32A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：19nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1270pF @ 50V
Vgs（最大值）：20V
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：24 毫歐 @ 16A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
封裝形式Package：DPAK
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：100V
連續(xù)漏極電流ID：32A
RoHS：符合 RoHS
最高工作溫度：+ 175 C
50 W：Pd - 功率消耗
安裝風格：SMD/SMT
品牌：STMicroelectronics
下降時間：5.6 ns
最低工作溫度：- 55 C
上升時間：17.5 ns
晶體管極性：N-Channel
標準包裝數量：2500
標準斷開延遲時間：22 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓：100 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：20 V
Id - C連續(xù)漏極電流：32 A
Rds On - 漏-源電阻：24 m0hms
配置：Single
Vgs th - 門源門限電壓：4.5 V
19 nC：Qg - 閘極充電
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs