其它有關文件：STD18N55M5 View All Specifications
產品培訓模塊：5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標準包裝：2,500
類別：分立半導體產品
家庭：FET - 單
系列：MDmesh? V
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓（Vdss）：550V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：16A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：192 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：31nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1260pF @ 100V
功率 - 最大值：110W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：D-Pak
配用：497-10309-5-ND - DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220AC
其它名稱：497-10955-2