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制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Id-連續(xù)漏極電流:40 A

Vds-漏源極擊穿電壓:130 V

增益:21 dB

輸出功率:350 W

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:STAC244B

封裝:Bulk

配置:Dual Common Source

工作頻率:250 MHz

系列:STAC2942B

類型:RF Power MOSFET

商標:STMicroelectronics

正向跨導 - 最小值:5 s

濕度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:625 W

產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors

工廠包裝數(shù)量:80

子類別:MOSFETs

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

單位重量:2.100 g