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ST2304
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）30V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）6.5A(Tc)

柵源極閾值電壓2V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻30mΩ @ 3.2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.7W(Tc)

類型N溝道

介紹圖ST2304
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
ST2304N Channel Enchancement Mode MOSFET STANSON[Stanson Technology]STANSON[Stanson Technology]的LOGO-天天IC網(wǎng)80.08 Kbytes共6頁ST2304的PDF文件地址ST6006,AN01,ST2301,ST2302,ST2303,ST2305,STP22NE03L,STP40NE03L-20,STP50NE08,ST3413 ST2304的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
ST2304SRGST2304SRG is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. STANSON[Stanson Technology]STANSON[Stanson Technology]的LOGO-天天IC網(wǎng)630.83 Kbytes共6頁ST2304SRG的PDF文件地址 ST2304SRG的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
ST2304SRGDMOS trench technology TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)709.7 Kbytes共3頁ST2304SRG的PDF文件地址 ST2304SRG的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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