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SSM3J15FV
規(guī)格信息：

通道類型：P

最大連續(xù)漏極電流：100 mA

最大漏源電壓：30 V

最大漏源電阻值：32 0hms

最大柵閾值電壓：1.7V

最小柵閾值電壓：1.1V

最大柵源電壓：±20 V

封裝類型：SOT-723

安裝類型：表面貼裝

引腳數(shù)目：3

晶體管配置：單

通道模式：增強(qiáng)

最大功率耗散：150 mW

典型接通延遲時間：65 ns

典型關(guān)斷延遲時間：175 ns

典型輸入電容值@Vds：9.1 pF @ 3 V

每片芯片元件數(shù)目：1

寬度：1.2mm

長度：0.8mm

高度：0.5mm

尺寸：0.8 x 1.2 x 0.5mm

最高工作溫度：+150 °C

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

SSM3J15FV

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
SSM3J15FV	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications	TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]	140.49 Kbytes	共5頁	RJK6014DPP,SSM3J15F,SSM3J15FS,SSM3J15FU,SSM3J01F,TPCP8003-H,TPC8104-H,TPCP8103-H,TPC8105-H,SSM3J15CT	產(chǎn)品購買
SSM3J15FV,L3F	MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching	Toshiba	214.83 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
SSM3J15FV,L3F	MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM	Toshiba Semiconductor and Storage	214.83 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
SSM3J15FV,L3F	MOSFET P-CH 30V 100MA VESM	Toshiba Semiconductor and Storage	214.83 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買