FET 類(lèi)型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：7.3A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：5.5V @ 350μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：35nC
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：970pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 4.6A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3
安裝風(fēng)格：ThroughHole
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：7.3A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：600mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：3.5V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：27nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：83W
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：CoolMOS
封裝：Tube
高度：6.22mm
長(zhǎng)度：6.73mm
系列：CoolMOSS5
晶體管類(lèi)型：1N-Channel
寬度：2.38mm
下降時(shí)間：20ns
上升時(shí)間：40ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：170ns
典型接通延遲時(shí)間：120ns
封裝/外殼：PG-TO251-3
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs