產(chǎn)品種類MOSFET
晶體管極性P-Channel
汲極/源極擊穿電壓- 60 V
閘/源擊穿電壓+/- 20 V
漏極連續(xù)電流80 A
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.023 Ohms
配置Single
最大工作溫度+ 175 C
安裝風(fēng)格Through Hole
封裝 / 箱體TO-220AB
封裝Tube
下降時間30 ns
最小工作溫度- 55 C
功率耗散340 W
上升時間18 ns
典型關(guān)閉延遲時間56 ns
SPP80P06PG
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPP80P06PG | SIPMOS?? Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 525.21 Kbytes | 共11頁 | 產(chǎn)品購買 |
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