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SPD50N03S2-07G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導通電阻:7.3 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:25 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:36 ns

系列:SPD50N03

工廠包裝數(shù)量:2500

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:27 ns

典型接通延遲時間:14 ns

零件號別名:SP000443920 SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GXT

介紹圖SPD50N03S2-07G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
SPD50N03S2-07GOptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)647.54 Kbytes共9頁SPD50N03S2-07G的PDF文件地址 SPD50N03S2-07G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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