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SPD30N03S2L-10G
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導通電阻:10 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd 00006000 -功率耗散:100 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:17 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:13 ns

系列:SPD30N03

工廠包裝數量:2500

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:27 ns

典型接通延遲時間:6.1 ns

零件號別名:SP000443918 SPD30N03S2L10GBTMA1 SPD30N03S2L10GXT

介紹圖SPD30N03S2L-10G
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SPD30N03S2L-10GOptiMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網637.45 Kbytes共9頁SPD30N03S2L-10G的PDF文件地址 SPD30N03S2L-10G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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