商品類型MOS(場效應管)
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)11.6A(Tc)
柵源極閾值電壓3V @ 250uA
漏源導通電阻11mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)5.6W(Tc)
類型P溝道
SM4307PSKC-TRG
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| SM4307PSKC-TRG | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | SINOPWER[Sinopower Semiconductor Inc] | 269.72 Kbytes | 共11頁 | 產品購買 |
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