FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：45A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 1mA
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2000pF @ 25V
功率耗散（最大值）：95W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：53 毫歐 @ 22A，10V
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-263-3
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs