SIHLZ44STRR-GE3規(guī)格信息：
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：50 A
最大漏源電壓：60 V
最大漏源電阻值：0.039 0hms
最小柵閾值電壓：1V
最大柵源電壓：-10 V、+10 V
封裝類型：D2PAK (TO-263)
安裝類型：表面貼裝
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：150 W
每片芯片元件數(shù)目：1
典型接通延遲時(shí)間：17 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：42 ns
典型輸入電容值@Vds：3300 pF@ 25 V
典型柵極電荷@Vgs：66 nC @ 5 V
最高工作溫度：+175 °C
最低工作溫度：-55 °C
晶體管材料：Si
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs