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產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性P-Channel

汲極/源極擊穿電壓- 200 V

閘/源擊穿電壓+/- 30 V

漏極連續(xù)電流- 3.1 A

電阻汲極/源極 RDS（導通）1.5 Ohms

配置Single

最大工作溫度+ 150 C

安裝風格SMD/SMT

封裝 / 箱體TO-252

封裝Reel

下降時間15 ns

正向跨導 gFS（最大值/最小值）2.2

最小工作溫度- 55 C

功率耗散2.5 W

上升時間22 ns

工廠包裝數(shù)量2000

典型關閉延遲時間33 ns