制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):SiC
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:HiP-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:65 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:52 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:122 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 200 C
Pd-功率耗散:318 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiP247a?￠
系列:SCTWA50N120
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):STMicroelectronics
產(chǎn)品類型:MOSFET
工廠包裝數(shù)量:600
子類別:MOSFETs