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制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):SiC

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:HiP-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:12 A

Rds On-漏源導通電阻:500 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:22 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 200 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiP247a?￠

封裝:Tube

系列:SCT10N120

晶體管類型:1 N-Channel

商標:STMicroelectronics

下降時間:17 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:12 ns

工廠包裝數(shù)量:600

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:14 ns

典型接通延遲時間:7 ns