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RFW2N06RLE
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:160 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 5 V, + 10 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.09 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:HVMDIP-4

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:42 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:42 ns

系列:RFW2N06

典型關閉延遲時間:95 ns

典型接通延遲時間:13 ns

介紹圖RFW2N06RLE
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
RFW2N06RLE2A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)41.54 Kbytes共5頁RFW2N06RLE的PDF文件地址HUF76407DK8,HUF76419P3,HUF76407P3,HUF76423D3,HUF76409D3,HUFA76439P3,HUF76423P3,RFL2N06L,HUF76409P3,HUFA76407DK8 RFW2N06RLE的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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