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RFP8P06LE
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:300 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :+/- 10 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:48000 mW

封裝 / 箱體:TO-220-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:20 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:50 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns

典型接通延遲時(shí)間:10 ns

介紹圖RFP8P06LE
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
RFP8P06LE8A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic Level, P-Channel Power MOSFET INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)102.78 Kbytes共8頁(yè)RFP8P06LE的PDF文件地址RFT3055LE,RFP30N06LE,RFT1P06E,RFG60P06E,RLD03N06CLE,RFP30N06LE,RFG60P06E,RFD15N06LE,HUF76407P3,HUF76423D3 RFP8P06LE的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
RFP8P06LE相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息
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