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PXAE263708NB-V1-R2
規(guī)格信息：

包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶

系列-

零件狀態(tài)有源

晶體管類型LDMOS

頻率2.62GHz ~ 2.69GHz

增益14dB

電壓 - 測(cè)試28V

額定電流（安培）10μA

噪聲系數(shù)-

電流 - 測(cè)試850mA

功率 - 輸出57W

電壓 - 額定65V

封裝/外殼PG-HB2SOF-8-1

供應(yīng)商器件封裝PG-HB2SOF-8-1

介紹圖PXAE263708NB-V1-R2
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
PXAE263708NB-V1-R2Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 a?? 2690 MHz CREE[Cree, Inc]CREE[Cree, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)289.18 Kbytes共9頁PXAE263708NB-V1-R2的PDF文件地址 PXAE263708NB-V1-R2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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