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PXAC201202FCV2R0XTMA1
規(guī)格信息：

晶體管類型：LDMOS

頻率：2.2GHz

增益：17dB

電壓 - 測試：28V

電流 - 測試：240mA

功率 - 輸出：16W

電壓：65V

封裝/外殼：H-37248-4

供應(yīng)商器件封裝：H-37248-4

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖PXAC201202FCV2R0XTMA1
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
PXAC201202FCV2R0XTMA1Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 a?? 2200 MHz INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1361.86 Kbytes共10頁PXAC201202FCV2R0XTMA1的PDF文件地址 PXAC201202FCV2R0XTMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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