晶體管極性:npn型
電壓, Vceo:50V
功耗, Pd:200mW
集電極直流電流:100mA
直流電流增益 hFE:200
工作溫度范圍:-65°C 到 +150°C
封裝類型:SOT-363
針腳數(shù):6
SVHC(高度關注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2012)
功耗:200mW
封裝類??:SOT-363
總功率, Ptot:300mW
晶體管數(shù):2
晶體管類型:偏壓電阻(BRT)
最大連續(xù)電流, Ic:100A
模塊配置:雙
滿功率溫度:25°C
電壓, Vcbo:50V
電流, Ic hFE:1mA
電流, Ic 最大:100A
電阻, R1:10kohm
電阻, R1 PNP:10kohm
直流電流增益 hfe, 最小值:200
表面安裝器件:表面安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:150mV
PUMH4
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| PUMH4 | NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k??, R2 = open | NXP[NXP Semiconductors] | 138.07 Kbytes | 共8頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
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