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PSMN4R3-80ES
規(guī)格信息：

晶體管極性：:N Channel

Continuous Drain Current Id：:120A

Drain Source Voltage Vds：:80V

On Resistance Rds(on)：:0.0037ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V

Threshold Voltage Vgs：:3V

功耗：:306W

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:175°C

Transistor Case Style：:SOT-226

No. of Pins：:3

MSL：:-

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

工作溫度范圍：:-55°C to +175°C

Weight (kg)：0.002

Tariff No.：85412100

PSMN4R3-80ES

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN4R3-80ES	N-channel 80 V, 4.3 m?? standard level MOSFET in I2PAK	PHILIPS[NXP Semiconductors]	240.24 Kbytes	共15頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN4R3-80ES,127	MOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms	Nexperia	807.65 Kbytes	共15頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN4R3-80ES,127	MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK	Nexperia USA Inc.	820.15 Kbytes	共15頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN4R3-80ES,127	ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF	NXP USA Inc.	820.15 Kbytes	共15頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN4R3-80ES,127		Nexperia(安世)	820.15 Kbytes	共15頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN4R3-80ES_15	N-channel 80 V, 4.3 m standard level MOSFET in I2PAK	PHILIPS[NXP Semiconductors]	240.24 Kbytes	共15頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)