制造商:NXP
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:75 A
Vds-漏源極擊穿電壓:75 V
Rds On-漏源導通電阻:9 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:230 W
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
商標:NXP Semiconductors
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:100 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:107 ns
典型關閉延遲時間:183 ns
典型接通延遲時間:35 ns
零件號別名:PHP110NQ08T,127
PHP110NQ08T
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| PHP110NQ08T | N-channel TrenchMOS standard level FET | NXP[NXP Semiconductors] | 337.91 Kbytes | 共12頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| PHP110NQ08T,127 | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | NXP USA Inc. | 89.79 Kbytes | 共13頁 | 產(chǎn)品購買 |
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