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PDTD123YT
規(guī)格信息：

晶體管極性：:NPN

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：:50V

功耗：:250mW

DC Collector Current：:50mA

DC Current Gain hFE：:70

Operating Temperature Min：:-65°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:SOT-23

No. of Pins：:3

MSL：:MSL 1 - Unlimited

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

Collector Emitter Voltage Vces：:300mV

連續(xù)集電極電流Ic最大：:500mA

Current Ic Continuous a Max：:50mA

Hfe Min：:70

工作溫度范圍：:-65°C to +150°C

封裝：:Cut Tape

Resistance R1：:2.2kohm

Resistance R2：:10kohm

端接類型：:SMD

Weight (kg)：0.00001

Tariff No.：85412900

PDTD123YT

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
PDTD123YT	Low VCEsat (BISS) transistors	PHILIPS[NXP Semiconductors]	948.33 Kbytes	共12頁	PBSS5250T,PBSS5540X,CMUT3410,PBSS2540M,PBSS8110Z,PBSS5520X,PBSS5330X,PBSS302PD,PBSS4160T,PBSS8110Y	產(chǎn)品購買
PDTD123YT	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k??, R2 = 10 k??	NXP[NXP Semiconductors]	132.71 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
PDTD123YT,215	雙極晶體管 - 預(yù)偏置 TRANS RET TAPE-7	Nexperia	234.65 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
PDTD123YT,215	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB	Nexperia USA Inc.	241.70 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
PDTD123YT,215	集電極電流Ic：500mA 額定功率：250mW 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓集射極擊穿電壓Vce：50V	Nexperia(安世)	241.70 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買