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PDTC123EMB
規(guī)格信息：

晶體管極性：:NPN

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：:50V

Transition Frequency ft：:230MHz

功耗：:250mW

DC Collector Current：:100mA

DC Current Gain hFE：:30

Operating Temperature Min：:-65°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:SOT-883B

No. of Pins：:3

MSL：:MSL 1 - Unlimited

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

工作溫度范圍：:-65°C to +150°C

Weight (kg)：0.00082

Tariff No.：85412100

介紹圖PDTC123EMB
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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PDTC123EMB,315雙極晶體管 - 預(yù)偏置 NPN Resistor Equipped TransistorNexperiaNexperia的LOGO-天天IC網(wǎng)824.40 Kbytes共13頁PDTC123EMB,315的PDF文件地址 PDTC123EMB,315的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PDTC123EMB,315NOW NEXPERIA PDTC123EMB - SMALLNXP SemiconductorsNXP Semiconductors的LOGO-天天IC網(wǎng)954.51 Kbytes共13頁PDTC123EMB,315的PDF文件地址 PDTC123EMB,315的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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