安裝類型表面貼裝
寬度1.4mm
封裝類型TO-236AB
尺寸1 x 3 x 1.4mm
引腳數(shù)目3
晶體管類型NPN
最低工作溫度-65 °C
最大功率耗散450 mW
最大發(fā)射極-基極電壓5 V
最大基極-發(fā)射極飽和電壓1.2 V
最大直流集電極電流1 A
最大集電極-發(fā)射極電壓40 V
最大集電極-發(fā)射極飽和電壓0.5 V
最大集電極-基極電壓40 V
最小直流電流增益200 V
最高工作溫度+150 °C
最高工作頻率150 MHz
每片芯片元件數(shù)目1
類別雙極小信號(hào)
配置單
長(zhǎng)度3mm
高度1mm
PBSS4140T
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| PBSS4140T,235 | Nexperia(安世) | 470.76 Kbytes | 共10頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | |||||
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| PBSS4140T-215 | 40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor | NXP[NXP Semiconductors] | 275.76 Kbytes | 共9頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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