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PBSS3540MB
規(guī)格信息：

晶體管極性：:PNP

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：:-40V

Transition Frequency ft：:300MHz

功耗：:250mW

DC Collector Current：:-500mA

DC Current Gain hFE：:40

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:SOT-883B

No. of Pins：:3

MSL：:MSL 1 - Unlimited

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

工作溫度范圍：:-55°C to +150°C

Weight (kg)：0.00082

Tariff No.：85412100

PBSS3540MB

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
PBSS3540MB	40 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved]	1151.98 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
PBSS3540MB,315	雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 40 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor	Nexperia	999.99 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
PBSS3540MB,315	TRANS PNP 40V 0.5A 3DFN	Nexperia USA Inc.	1.12 Mbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
PBSS3540MB,315	集電極電流Ic：500mA 額定功率：250mW 晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓Vce：40V	Nexperia(安世)	1.12 Mbytes	共12頁	產(chǎn)品購買