FET類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：1.65A（Ta）
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：480pF @ 5V
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：90 毫歐 @ 3.3A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-23-6
封裝形式Package：TSOP
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：20V
連續(xù)漏極電流ID：1.65A
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs