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NSVUMC5NT2G
規(guī)格信息:

標準包裝:3,000

類別:分立半導體產(chǎn)品

家庭:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

系列:-

包裝:帶卷(TR)

晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)

電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基底(R1)(歐姆):47k,4.7k

電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k,10k

不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V / 20 @ 5mA,10V

不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:-

功率 - 最大值:150mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

供應商器件封裝:SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)

介紹圖NSVUMC5NT2G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
NSVUMC5NT2GDual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)178.85 Kbytes共11頁NSVUMC5NT2G的PDF文件地址 NSVUMC5NT2G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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