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NE425S01
規(guī)格信息:

制造商:NEC

產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管

RoHS:

商標(biāo):NEC/CEL

晶體管類型:HFET

技術(shù):GaAs

增益:12 dB

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:4 V

Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 3 V

Id-連續(xù)漏極電流:90 mA

最大工作溫度:+ 125 C

Pd-功率耗散:165 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:S0-1

封裝:Bulk

正向跨導(dǎo) - 最小值:60 mS

NF—噪聲系數(shù):0.6 dB

工作頻率:12 GHz

介紹圖NE425S01
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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